FOTOO’TKAZUVCHANLIK

FOTOO’TKAZUVCHANLIK, foto rezistiv effekt — elektromagnit nurlanish ta’sirida yarimo’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanligi ortishi. Fotoo’tkazuvchanlikni birinchi bo’lib 1873 yilda amerikalik fizik U. Smit selenda kuzatgan. Odatda, Fotoo’tkazuvchanlik yoruglik ta’sirida tok tashuvchilar kontsentrasiyasining ortishi tufayli yuzaga keladi (kontsentrasiey Fotoo’tkazuvchanlik). U bir necha jarayon xisobiga hosil bo’ladi: fotonlar elektronlarni valent zonadan “yulib” olib, o’tkazuvchanlik zonasiga “otadi”, bunda bir vaqtning o’zida utkazuvchanlik elektronlari va kovaklar soni ortadi (xususiy Fotoo’tkazuvchanlik); elektronlar valent zonadan bo’sh aralashma sathiga o’tadi — kovaklar soni ortadi (kovakli Fotoo’tkazuvchanlik); elektronlar aralashma satxlaridan utkazuvchanlik zonasiga o’tkaziladi (elektronli Fotoo’tkazuvchanlik). Kontsentrasion Fotoo’tkazuvchanlik yetarlicha qisqa to’lkinli nurlanish ta’siridagina paydo bo’lishi mumkin, bunda fotonlarning energiyasi yoki man etilgan zona kengligidan (xususiy Fotoo’tkazuvchanlik holida), yoki zonalardan biri va aralashma satxi orasidagi masofadan (elektronli va kovakli Fotoo’tkazuvchanlik holida) katta bo’lishi kerak. Fotoo’tkazuvchanlikning tok tashuvchilar kontsentrasiyasini o’zgartirish bilan bog’liq bo’lmagan turlari ham bo’lishi mumkin. Masalan, erkin tok tashuvchilar uzun to’lqinli elektromagnit to’lqinlarni yutganda ularning energiyasi ortadi. Natijada ularning harakatchanligi va demak, elektr o’tkazuvchanlik ortadi (harakatchanlik Fotoo’tkazuvchanlik). Fotoo’tkazuvchanlikni o’rganish — qattiqjismlarni tadqiq qilishning eng samarali usullaridan biridir. Fotoo’tkazuvchanlik hodisasidan fotorezistorlarni, nurlanishning sezgir va inersiyasi kichik qabul qiluvchilarini yaratishda foydalaniladi.