Vakuum-mikrosxemalar

Vakuum-mikrosxemalar -mikroelektron texnologiya asosida yaratilgan ko’p funktsiyali elektron asbob. Vakuum-mikrosxemalar yuqori vakuumli ballonchadan iborat bo’lib, ichida ma’lum tartibda ko’plab mikroelektrodlar joylashgan. Millionlab metall katodlarni kimyoviy usulda yaratish texnologiyasiga asoslangan. Mikroelektrodlar kremniy taglikka mahkamlanadi, so’ngra taglik ustiga ketma-ket kremniy oksid (SiO2) va yupqa metall (ko’pincha, molibden) qatlamlari joylashtiriladi. Shu usulda har 1 mm2 taglikka 10 mingtacha mikrokatod joylashtirish mumkin. Mikrokatodlar niobiy, molibden, oltin va tantaldan tayyorlanadi. Vakuumli integral mikrosxemalar quyidagi afzalliklarga ega: Vakuum-mikrosxemalar yarim o’tkazgichli mikrosxemalarga qaraganda 20 marta tezroq ishlaydi, radiatsiyaga. kuchlanish va temperatura o’zgarishlariga chidamli; emitter atrofidagi elektr maydonini boshqarish natijasida kvant-mexanik effektlarga oson erishish mumkin; tannarxi esa o’xshash mikrosxemalarga nisbatan yuqori bo’lmaydi. Vakuum-mikrosxemalar ko’chma radioaloqa tizimlarida, issiqlikka chidamli datchiklarda, reaktiv dvigatellar yoki atom reaktorlari va boshqa elektron qurilmalarda qo’llaniladi.