Tunnel effekt

Tunnel effekt — mikrozarralar (elektron, atom va b.) ning potentsial to’siq (zarraning potentsial energiyasi uning to’liq energiyasidan katta bulgan soha)dan utish xrdisasi. T.e. to’siq sohasida zarra impulelari (va energiyalari)ning sochilishi deb tushuntirish mumkin bulgan kvant effektidir. Kvant tabiatga ega bulgan mikrozarraning tuliq energiyasi potentsial energiyasidan kichik bulsada, uning to’siqdan o’tish ehtimolligi noldan katta zarralarning to’lqin xossalariga asoslangan. Agar mikrozarra kengligi g bo’lgan potentsial urada v tezlik bilan harakatlansa, u har sekundda urtacha vg’r marta ura devoriga yakinlashadi. T.e. to’siqning shaffoflik koeffisienti bilan izoxlanib, uning sodir bo’lish ehtimolligi ig’g kattalikning to’siqning shaffoflik koeffisienta D ga ko’paytmasiga teng. D potentsial to’siqning kengligi va balandligiga bog’liq bo’lib, to’siqdan o’tgan zarralar sonining to’siqqa ichkaridan urilayotgan zarralar son iga nisbati orqali aniqlanadi. Potentsial to’siq qancha tor va zarra energiyasi to’siqning balandligiga qancha yaqin bo’lsa, T.e. ehtimoli shuncha yuqori bo’ladi. T.e. tufayli avtoelektron emissiya hodisasi, qattiq jismning elektron o’tkazuvchanligi, termoyadro reaktsiyalari va b. sodir bo’ladi. T. e.ni o’rganish yarimo’tkazgichli tunnel diodlarini yaratishga va amalda qo’llashga imkon beradi.