Gann effekti

Gann effekti — Nsimon hajmiy volt-amper xarakteristika- li yarimo’tkazgichlarda elektr tokening yuqori chastotali tebranishlarini gene- rasiyalash. G.e.ni amerikalik fizik J. Gann (J. Gunn) elektron o’tkazuvchanlikli GaAs va JnP namunalarida kuzatgan (1963). G.e. doimiy kuchlanish maromi- da namunalarda doimiy ravishda paydo bo’ladigan, ko’chadigan va yo’qoladigan kuchli elektr maydon sohasining mav- judligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. G.e.da tebranish chastotasi namuna uzunligiga teskari mu- tanosib bo’ladi. Uz. 30-50 mkm li GaAs kristallda tebranish chastotasi -0,3—2 GGs.