Gann diodi

Gann diodi— ikki elektrod- li r-p o’tishsiz yarimo’tkazgich asbob. Unda elektr magnit tebranishlarni Ge- nerasiyalash yoki kuchaytirishda Gann effektidan foydalaniladi. Eng ko’p qo’llaniladigan Gann generatorlari bo’lib, ular GaAs yoki JnP monokristal- laridan yasalgan, qalinligi 1,5—10 mkm va diametri 20-150 mkm bo’lgan diskdan iborat. Diskning qarama-qarshi tomon- lariga metall kontaktlar qoplanadi. G.D. o’ta yuqori chastotalar zanjirining faol elementi tarzida xizmat qiladi. Uning ish chastotalari -10-120 GGs, f.i.k. -2- 10%. Uzluksiz maromdagi quvvati -200 MVt, impuls maromda (~10ggs chastota- da) 200 Vt.